產品應用

IGBT封装

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；

IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

IGBT模块的制造工艺和流程

生產製造流程：

絲網印刷➔ 自动贴片➔真空回流焊接➔超声波清洗➔缺陷检测（X光）➔自动引线键合➔激光打标➔壳体塑封➔壳体灌胶与固化➔端子成形➔功能测试

IGBT封装技術

IGBT作为重要的电力电子的核心器件，其可靠性是决定整个装置安全运行的最重要因素。由于IGBT采取了叠层封装技术，该技术不但提高了封装密度，同时也缩短了芯片之间导线的互连长度，从而提高了器件的运行速率。但也正因为采用了此结构，IGBT的可靠性受到了严重挑战。由于IGBT主要是用来实现电流的切换，会产生较大的功率损耗，因此散热是影响其可靠性的重要因素。

一、焊接层空洞是影响IGBT可靠性的重要因素

IGBT模块封装级的失效主要发生在结合线的连接处，芯片焊接处和基片焊接处等位置。尤其两个焊接处，是IGBT主要的热量传输通道，焊接处的焊接质量是影响其可靠性因素的重中之重。

研究表明，焊料层内的空洞会影响温度热循环，器件的散热性能降低，这也会促进温度的上升，影响期间在工作过程中的热循环，造成局部温度过高，从而加快模块的损坏。有调查表明，工作温度每上升10℃，由温度引起的失效率增加一倍。并且，应力与应变之间存在着滞回现象，在不断地温度循环当中，材料的形状实时地发生改变，这又增加了焊料层的热疲劳。因此对于IBGT封装来说，最重要的就是要降低焊料层内的空洞。

二、IGBT焊接层容易产生空洞的原因

焊接層空洞的產生，主要是由于焊接材料中的挥发物留着焊接层中造成，而IGBT的芯片通常都比较大，长会达到10mm-20mm，并且DBC的尺寸通常在20mm-40mm，如此大的焊接面积，给焊接材料中的挥发物挥发造成很大困难。因此IBGT焊接层的空洞成为人们极力解决的问题。而对于IGBT高可靠性的要求，空洞率必然是封装环节的一个重要控制因素。通常小家电、普通电气装备用的IGBT要求空洞率<5%，对于轨道交通、航空航天等領域，空洞率要求更加苛刻，甚至需要达到0.1%以下。